TT12345678Câu hỏi và đáp ánTransistor lưỡng cực [BJT] không có đặc điểm saua. gồm hai chuyển tiếp p-nb. Có ba điện cựcc. Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ.d. Gồm một chuyển tiếp p-nTransistor lưỡng cực [BJT] là transistor có dòng raa. Được điều khiển bằng áp vàob. Được điều khiển bằng dòng vàoc. Được điều khiển bằng điện trường ngoàid. Không điều khiển đượcĐể phân cực cho transistor lưỡng cực [BJT] hoạt động ở chế độ khuếch đại thìa. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịchb. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuậnc. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cựcnghịch.d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.Để phân cực cho transistor lưỡng cực [BJT] hoạt động ở chế độ tắt thìa. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịchb. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuậnc. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cựcnghịch.d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.Để phân cực cho transistor lưỡng cực [BJT] hoạt động ở chế độ bão hòa thìa. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịchb. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuậnc. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cựcnghịch.d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thìa. I C = β I Bb. VCE = 0c. I C = 0d. I C ≤ β I BKhi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thìa. I C = β I Bb. VCE = 0c. I C = 0d. I C ≤ β I BDòng ICBO là dòng rỉa. Của mối nối CB khi cực E hở mạchb. Của mối nối CE khi cực B hở mạchc. Của mối nối BE khi cực C hở mạchĐáp án9101112131415d. Của transistorDòng ICEO là dòng rỉa. Của mối nối CB khi cực E hở mạchb. Của mối nối CE khi cực B hở mạchc. Của mối nối BE khi cực C hở mạchd. Của transistorDòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dònga. Qua các chuyển tiếp p-nb. Qua kênh dẫnc. Qua bán dẫnd. Qua hai chuyển tiếp p-nDòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tảia. Đa sốb. Thiểu sốc. Đa số và thiểu sốd. ElectronKhi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thìa. Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổib. Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổic. Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăngd. Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăngHình bên là cách mắc transistora. Theo kiểu CEb. Theo kiểu CBc. Theo kiểu CCd. A, b v à c đều đúngĐể transistor lưỡng cực hoạt động cóa. 1 cách mắcb. 2 cách mắcc. 3 cách mắcd. 4 cách mắcĐường đặc tuyến vôn –ampe bên làa.b.c.d.ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor npn mc CEng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor pnp mc CEng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor npn mc CBng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor pnp mc CBIC7 [mA]Vuứngbaừohoứa6543IB = 80I = 70àA BIB = 60àA IB = 50àAàA IB = 40Vuứng tớchcửùc2105VCE [BH]10ICE[a]O1617181920IB [àA]1009àAIB = 3007àAIB = 20 50Ià= 10B A03àIBA= 001àAV [V 0 012]5 Vuứng0ngửng daónCEVCE = 1VVCE = 10VVCE = 20V0,2 0,4 0,6 0,8[b]ng c tuyn vụn ampe bờn la. ng c tuyn ngừ ra ca transistornpn mc CEb. ng c tuyn ngừ ra ca transistorpnp mc CEc. ng c tuyn ngừ ra ca transistornpn mc CBd. ng c tuyn ngừ ra ca transistorpnp mc CBCu trỳc ca JFET khụng cú c im saua. Cú 3 in ccb. Cú mt kờnh dnc. Cú mt chuyn tip p-nd. Cú hai chuyn tip p-nTransistor trng [FET] l transistor cú dũng raa. c iu khin bng ỏp vob. c iu khin bng dũng voc. c iu khin bng ỏnh sỏngd. Khụng iu khin cJFET kờnh n cú c ima. in tr kờnh dn thay i khi in ỏp VGS thay ib. in tr kờnh dn tng khi in ỏp VGS cng õmc. in tr kờnh dn gim khi in ỏp VGS cng õmd. in tr kờnh dn khụng thay i khi in ỏp VGS thay iJFET kờnh p hot ng khia. VGS 0 v VDS > 0b. VGS 0 v VDS < 0c. VGS 0 v VDS < 0VBE [V]212223d. VGS ≤ 0 và VDS > 0Các điện cực của MOSFET gồm cựca. B, C, Eb. D, S, Gc. D, S, G, Subd. D, S, BDòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng củaa. Hạt tải đa sốb. Hạt tải thiểu sốc. Electrond. HoleTransistor trường có đặc điểm saua. Dòng vào bằng 0b. Dòng vào khác 0c. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo2242526 V phương trình Shockley I D = I DSS 1 − GS V p d. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theophương trình I C = β I BD_MOSFET là FET không có đặc điểm saua. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-nc. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.E_MOSFET là FET có đặc điểm saua. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-nc. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào củaD_MOSFET Va. I D = I DSS 1 − GSVpb. I C = β I Bc. I D = K [VGS − Vth ]22272 Vγ d. I D = I DSS 1 − V p Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJTa. ICmaxb. VCEmaxc. PCmaxd. ICEO2829Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FETa. IDmaxb. VDSmaxc. PCmaxd. PDmaxDòng điện chạy trong transistor tröôøng là dònga. Qua các chuyển tiếp p-nb. Qua kênh dẫnc. Qua bán dẫnd. Qua hai chuyển tiếp p-nTT12Câu hỏi và đáp ánĐiện trở RE trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực [BJT] có chứcnănga.Phân cực cho cực E.b.Ổn định nhiệt cho trnasistor.c. a và b đều đúngd.a và b đều saiTụ CE trong mạch có chức nănga. ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu.b. hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu.c. ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực.d. Giảm hệ số khuếch đại của mạch3Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bấtổn định nhiệt nhất là:a. mạch phân cực theo kiểu định dòngb. mạch phân cực theo kiểu phân ápc. mạch phân cực có hồi tiếp từ collectord. mạch phân cực theo kiểu định dòng có RE4Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớnnhất khie. R B / R E > [ β + 1]f. RB / R E < [ β + 1]g. RB / R E < 1h. RB / R E = [ β + 1]5Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khiĐáp ána. R B / R E > [ β + 1]b. RB / R E < [ β + 1]c. RB / R E < 1d. RB / R E = [ β + 1]6Sự bất ổn định nhiệt của dòng IC do thông số nào bị thay đổi của BJT theonhiệt độa. Vγb. βc. ICBOd. a, b và c7điện trở RS trong mạch phân cực của transistor trường có chức nănge. Phân cực cho cực S.f. Ổn định nhiệt cho transistorg. a và b đều đúngh. a và b đều sai8Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạchphân cực cho transistor trườnge. mạch phân cực theo kiểu định dòngf. mạch phân cực theo kiểu phân ápg. mạch tự phân cựch. mạch phân cực cố định9Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cựcnào dưới đâye. mạch phân cực hồi tiếpf. mạch phân cực theo kiểu phân ápg. mạch tự phân cựch. mạch phân cực cố địnhPHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎTT1Câu hỏi và đáp ánBJT có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏĐáp án2345678e. Mộtf. Haig. Bah. BốnMô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT được sử dụng khia. BJT hoạt động với tín hiệu nhỏb. BJT hoạt động với tín hiệu lớnc. BJT hoạt động với tín hiệu trung bìnhd. A, b và cMô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT mắc theo kiểu CE chỉ được sửdụng khi mạch khuếch đại dùng BJTe. Mắc theo kiểu CEf. Mắc theo kiểu CBg. Mắc theo kiểu CCh. A, b, c đều đúngThông số hib của BJT được tính theo công thức∆VBE≅ ree. hib =∆I E∆V BE≅ βref. hib =∆I B∆V BE≅ βreg. hib =∆I E∆V BE≅ reh. hib =∆I BThông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối vớia. Dòng điện xoay chiềub. Dòng điện một chiềuc. Điện áp xoay chiềud. Điện áp một chiềuPhương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số h được biểu diễne. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp raf. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng rag. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp rah. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng raTrong các mạch khuếch đại sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp lớn nhấte. Mạch khuếch đại mắc kiểu CEf. Mạch khuếch đại mắc kiểu CBg. Mạch khuếch đại mắc kiểu CCh. A v à bMạch khuếch đại có điện trở vào bé nhất là mạch khuếch đại mắc kiểue. CEf. CBg. CCh. Cả 3 đều có tổng trở vào bằng nhau91011121314Mạch khuếch đại có điện trở ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểua. CEb. CBc. CCd. CE và CBMạch khuếch đại có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểua. CEb. CBc. CCd. CC và CEMạch khuếch đại có điện áp ra cùng pha với áp vào là mạcha. CEb. CBc. CCd. CC và CBPhương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số y được biểu diễne. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp raf. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng rag. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp rah. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng raJFET có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏe. Mộtf. Haig. Bah. BốnThông số gm của JFET được tính theo công thức VGS e. g m = g mo 1 −Vp f.gm = −2 I DSSVP VGS1 −VpIDI DSSh. cả 3 đều đúngg. g m = g mo1516Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch nào có hệ số khuếch đại ápnhỏ nhấta. Mạch khuếch đại mắc kiểu CDb. Mạch khuếch đại mắc kiểu CSc. Mạch khuếch đại mắc kiểu CGd. b v à cMạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểua. CDb. CS1718c. CGd. CD v à CSMạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với áp vào là mạche. CDf. CSg. CGh. CC v à CGMô hình tương đương gần đúng đối với tín hiệu nhỏhình bên là mô hình củae. JFETf. D_MOSFETg. E_MOSFETh. a,b, cCÁC KIỂU GHÉP TẦNG KHUẾCH ĐẠITT1Câu hỏi và đáp ánMột mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ sốkhuếch đại áp của toàn mạchne.AV = ∏ AVii =1nf.AV = ∑ AVii =1ng. AV = AVii =1nh. AV = AVii =12Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ sốkhuếch đại dòng của toàn mạchna.Ai = ∏ Aiii =1nb. Ai = ∑ Aiii =1Đáp ánnc.Ai = Aiii =1nd. Ai = Aiii =13Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõvào của mạch làa. Z i = Z i1b. Z i = Z innc. Z i = ∑ Z iii =1nd. Z i = ∏ Z iii =14567Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõra của mạch làe. Z O = Z O1f. Z O = Z Ong. Z O = Z O [ n +1]h. Z O = Z O [ n −1]Có bao nhiêu cách ghép tầng khuếch đạia. Mộtb. Haic. Bad. BốnMạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểma. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua tụđiệnb. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điệntrởc. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếpd. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máybiến ápMạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểme. Khuếch đại được cả tín hiệu DC và ACf. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điệntrởg. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếph. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máybiến áp891011121314Mạch khuếch đại ghép trực tiếp không có đặc điểma. Các tầng khuếch đại ghép trực tiếpb. Các tầng khuếch đại không cách ly về DCc. Khuếch đại được tín hiệu DC và ACd. Ổn định nhiệtDạng ghép trực tiếp đặc biệt nào cho hệ số khuếch đại dòng lớna. Darlingtonb. Vi saic. Cascoded. A, b, c đều saiMạch khuếch đại vi sai không có đặc điểme. Có hai ngõ vàof. Ngoõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu vi saig. Ngoõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu cách chung [cộng sai]h. Triệt nhiễu đồng pha tốt.Mạch khuếch đại ghép cascode thường được sử dụnge. Mạch khuếch đại tần số thấpf. Mạch khuếch đại tần số caog. Mạch khuếch đại tín hiệuh. Làm mạch khuếch đại đệmMạch khuếch đại ghép cascode không có đặc điểm saue. Có một ngõ vàof. Có hai ngõ vàog. Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB.h. Hệ số khuếch đại bằng một tầng khuếch đại.Mạch khuếch đại ghép Darlington không có đặc điểme. Gồm hai transistor ghép trực tiếpf. Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tích hệsố khuếch đại dòng điện của hai transistor thành ph ần.g. Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tổnghệ số khuếch đại dòng điện của hai transistor thành phần.h. Có tổng trở vào lớnCó bao nhiêu cách ghép Darlington?e. Mộtf. Haig. Bah. Bốn15Mạch hình bên là mạch khuếch đại ghépa. Darlingtonb. Vi saic. Cascoded. A,b,c đều sai16Tại sao trong mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thaycho điện trở REe. Ổn định dòng điện tại cực Ef. Tăng hệ số khuếch đại dòng điệng. Tăng hệ số khuếch đại đối với tín hiệu vi saih. Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chungTỉ số nén tín hiệu cách chung được tính bằng công thức:AVDa. CMRR =AVCAVDb. CMRRdB = 20 lgAVCAVCc. CMRR =AVDd. a và b đều đúng17e. Ngân hàng câu hỏi và đáp án chi tiết chương 4tt1LoạiCâu hỏiNội dungMẠCH PHÂN CỰC CHO BJTTìm điểm tĩnh Q[ICQ, VCEQ]Điểm1đ1đVCCRCRBNgõ vào acC1IBICC2+Ngõ ra ac10µFVCE−β = 50Đáp ánI BQ =VCC − VBERBI CQ = βI BVCEQ = VCC − I CQ RC2VCC = 15VCâu hỏiTìm điểm tĩnh Q[ICQ, VCEQ]RCRBICC2IBCVi1đV0β = 50SiREVEIEĐáp ánVCEQ3Câu hỏiVCC − VBERRE + Bβ= VCC − I CQ [ RC + RE ]I CQ =Tìm điểm tĩnh Q[ICQ, VCEQ] theo phương pháp tính chính xácVCCRB1ICRCVCC1VBVi10µFRB2Vo10µFVCEβ = 140VEIERECE10µF1đĐáp ánVB =RBB =IB =RB 2VCCRB1 + RB 2VCCRB1 RB 2RB1 + RB 2RCVBB − VCERBB + [ β + 1] REI C = βI B ≅ I EVCE = VCC − I C [ RC + RE ]RBB+RD2VBB4Câu hỏiTìm điểm tĩnh Q[ICQ, VCEQ] theo phương pháp tính gần đúng1đVCCRB1ICRCVCC110µFRB2Đáp ánVB =RB 2VCCRB1 + RB 2VE = VB − VBEIE =VE≅ ICREVC = VCC − I C RCVCE = VC − VEVo10µFVBViC2VCEβ = 140VEIERECE10µF5Câu hỏiTìm điểm tĩnh Q[ICQ, VCEQ]Vcc1đRcC2Rf+V outC1V in+-Đáp án-VCC = I CQ RC + I CQRB+ VBEβVCC − VBERB+ RCβ= VCC − RC I CQ→ I CQ =VCEQ6Câu hỏiTìm điểm tĩnh Q[ICQ, VCEQ]VccRbV inC1C2V outReĐáp ánVCC =I CQβVCC − VBERB+ REβ= VCC − I CQ RE→ I CQ =VCEQRB + VBE + I CQ RE1đ